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Smiley Re: PWM mit MOSFET - Gate Strom Begrenzung dimensionieren?
Ich hab ehrlich gesagt noch nie praktisch mit einem Bipo-Transistor geschaltet, weil FETs eben meistens praktischer zu handhaben sind :). Aber mein theoretisches Wissen zeigt, dass dem nichts im Wege stehen sollte. Vor knapp 10 Jahren haben die schliesslich NUR mit bipolarer Technologie gearbeitet und im kW/MW-Bereich kommt man auch heutzutage nicht um bipolare Technolgie drumherum (IGBT, Thyristor).



Die Verlustleistung im Bipo-Transe berechnet sich analog zum MOSFET f*(Eschalt+Eleit). Besonders bei den niedrigen Frequenzen kann man Eschalt vernachlässigen. Es bleibt die statische Verlustleistung, die sich berechnet zu Wleit=Tastverhältnis*Ucesat*Ic=1V*0.15A=0.15W maximal pro Transistor. Das sollten eigentlich sogar die ganz kleinen TO92-Minitransistoren schaffen, wenn man die nicht unbedingt bis zum Anschlag in die Platine reinpresst. Wenn man das Layout etwas thermisch optimiert würde ich sogar über so ein Transistor-Array nachdenken (vielleicht auch nur 2 oder 3 Transistoren benutzen - probieren):

http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/uln2004ai.pdf oder ähnliches.



lg
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